Gate driver al carburo di silicio

ROHM Semiconductor presenta la nuova famiglia BM6 di gate driver al carburo di silicio (SiC) isolati da 2.500 Vrms che contribuiscono a ridurre i consumi e facilitano la progettazione. Adatti al controllo di invertitori e convertitori DC/DC e destinati ad applicazioni a energia solare e automotive. Le loro caratteristiche elettriche e l'elevata tensione in uscita consentono il controllo sia degli IGBT che dei MOSFET al carburo di silicio. Questa nuova serie garantisce un funzionamento ad alta velocità stabile anche in aree ad alta potenza. Per sviluppare processi per trasformatori on-chip, ROHM ha utilizzato la sua tecnica di microfabbricazione proprietaria. Il dispositivo è alloggiato in un package SSOP-B20W compatto e non necessita di parti esterne. Inoltre la tecnologia dei trasformatori coreless originale comprende una funzione di isolamento che garantisce una tensione di isolamento di 2.500 Vrms. Sono previste anche diverse funzioni di protezione, tra cui thermal shutdown e protezione dai cortocircuiti con funzione desat, controllo dei guasti e del carico.Un'apposita funzione disattiva l'invertitore in caso di desaturazione. I dati tecnici del dispostivo sono: tensione in ingresso (Vcc1) min. 4,5V - max. 5,5V; tensione in uscita (Vcc2) min. 12V - max. 24V; tensione VEE in uscita (VEE2) min. -12V - max. 0V; temperature d'esercizio (Ta) min. -40° - +125°; corrente in uscita nominale (picco) 5,0A; tensione di isolamento 2.500 Vrms; ritardo entrata/uscita 400ns; package SSOP-B20W (6,5mm x 8,1mm, H=2,01mm max.).